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一种发光装置（３０），它具备电阻率０．５Ω.ｃｍ或其以下的氮化物半导体基板（１）、位于氮化物半导体基板的第１主表面侧的ｎ型氮化物半导体层（３）、从氮化物半导体基板看位于比ｎ型氮化物半导体层（３）更远的位置上的ｐ型氮化物半导体层（５）和位于ｎ...
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