温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种使用除硅以外的低介电常数基片、可适应工作速度提高的半导体器件。设置由基片（１１）和比介电常数低于硅的低介电常数材料膜（１２）构成的基体（１０）。在基体（１０）表面上，通过粘接包含ＭＯＳ晶体管（３０）的半导体元件层来迭层。ＭＯＳ...
该专利属于佐伊科比株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佐伊科比株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。