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本发明公开了一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片,保护电路包含至少一个GGNMOS,各GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区仅直接电性连接至GNDIO,使该GGNMOS内部的竖向寄生三极管与横向寄生三极管并联连接后共同形...该专利属于豪威科技(北京)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过豪威科技(北京)股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片,保护电路包含至少一个GGNMOS,各GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区仅直接电性连接至GNDIO,使该GGNMOS内部的竖向寄生三极管与横向寄生三极管并联连接后共同形...