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提供一种用于等离子体灰化（１２０）的方法，用于去除在前面介电层（１０４）等离子体蚀刻期间形成的光刻胶残余（１０６）以及蚀刻剩余物（１１０）。该灰化方法使用包含含氢气体的两步等离子体处理，其中在第一清洁步骤（１２０）对基底施加低或零偏置，从而...
该专利属于东京电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京电子株式会社授权不得商用。

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