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在包含基座的处理室中加热半导体基板的工艺和系统技术方案
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下载在包含基座的处理室中加热半导体基板的工艺和系统的技术资料
文档序号:3201106
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公开了一种在基座上用于加热处理室中半导体基板的工艺和系统。根据本发明,公开了基座。根据本发明,基座包括一将晶片悬在基座上方的支撑结构,该支撑结构由具有较低导热率的材料制成。该支撑结构具有特定高度,禁止或者防止高温处理期间在晶片中形成径向温度...
该专利属于马特森技术公司所有,仅供学习研究参考,未经过马特森技术公司授权不得商用。
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