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本发明提供了一种制造包含非选择性生长的ＳｉＧｅ（Ｃ）异质结双极晶体管的半导体器件的方法，此方法包括下列步骤：在衬底上形成绝缘层（１２，４０）以及在绝缘层（１２，４０）上提供包括导电层（１４，４２）的层状结构，通过导电层（１４，４２）腐蚀一个...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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