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首先，在半导体衬底上，在将要形成电荷转移部分的区域中形成第一栅绝缘膜，并在所述第一栅绝缘膜上形成一个保护膜。在所述保护膜上形成用于转移沟道形成的光刻胶，然后通过构图去除用于转移沟道形成的光刻胶的一部分。接着，利用用于转移沟道形成的光刻胶作为...
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