下载具两控制区的集成场效应晶体管及制造方法的技术资料

文档序号:3199691

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本发明特别说明了一种利用SOI技术与自对准金属硅化处理技术所制造的场效应晶体管(10),其即所谓的双栅极晶体管(10);该晶体管(10)适合用于切换高于5伏特或甚至高于9伏特之电压,且仅需要非常小的芯片面积。...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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