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一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层（ＡＲＣ）的方法，该方法包括：　　　　引入处理气体，所述处理气体包括一种或多种共同含有氮（Ｎ）、氢（Ｈ）和氧（Ｏ）的气体；　　　　在所述等离子体处理体系内由该处理气体形成等离子体；和　　　　将...
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