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本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置（１）装备有ｎ－类型包层（３）；安置在ｎ－类型包层（３）上的ｐ－类型包层（７）；以及由氮化物构成并安置在ｎ－类型包层（３）与ｐ－类型包层（７）之间的...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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