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本发明涉及一种半导体装置的制造方法。在形成ＰＬＺＴ膜（３０）作为电容器电介质膜的原料膜之后，在ＰＬＺＴ膜（３０）上形成上部电极膜（３１）。上部电极膜（３１）由相互组成不同的２层ＩｒＯｘ膜构成。接着进行对半导体基板（１１）的背面的清洗。而且、...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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