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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括框架，该框架设置于衬底上，以在该衬底上形成半导体芯片容纳部分。半导体芯片设置于该半导体芯片容纳部分中。有机绝缘层设置为覆盖该半导体芯片和该框架。布线层设置于该有机绝缘层上。在该半导体器件...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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