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碳化硅功率MOS场效应晶体管及制造方法技术
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文档序号:3197512
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一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管单元,包括: n型碳化硅漂移层; 与该漂移层相邻的第一p型碳化硅区; 第一p型碳化硅区中的第一n型碳化硅区; 漂移层、第一p型碳化硅区、和第一n型碳化硅区上的氧化物层;以及 ...
该专利属于克里公司所有,仅供学习研究参考,未经过克里公司授权不得商用。
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