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一种降低相变存储器编程电流的单元结构，属于微电子领域。本发明包括：集成电路衬底、下电极、硫族化物合金相变层、加热层、上电极、绝缘介质层，在集成电路衬底上设有下电极，上电极设在硫族化物合金相变层上，硫族化物合金相变层和加热层设在绝缘介质层的小...
该专利属于上海交通大学;硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学;硅存储技术公司授权不得商用。

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