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本发明提供一种半导体元件，该半导体元件包含有至少一Ｎ型通道元件以及至少一Ｐ型通道元件。该Ｎ型通道元件包含有一高介电常数的栅介电层。该Ｐ型通道元件包含有该高介电常数的栅介电层。该Ｎ型通道元件具有一Ｐ型栅极，该Ｐ型通道元件具有一Ｎ型栅极。根据本...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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