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一种在半导体器件中形成氧化物区的方法，包括如下的步骤：在器件的半导体层中形成多个沟槽，该沟槽彼此相对接近地形成；以及对半导体层进行氧化以使绝缘层形成在沟槽的至少侧壁和底壁上。沟槽被构造成使作为氧化步骤的结果形成的绝缘层基本填充沟槽并基本消耗...
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