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半导体器件制造方法技术
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文档序号:3194996
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一种半导体器件制造方法,包括:在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤;形成第二绝缘膜40的步骤,该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大;以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜...
该专利属于富士通株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士通株式会社授权不得商用。
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