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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其形成沟槽形状的转移栅，用于更好地传输由入射到光电二极管的光产生的电子，以获得改善的传输特性。该ＣＭＯＳ图像传感器包括：半导体衬底，具有由浅沟槽隔离区限定的至少一个有源区；光接收区，形成在半导...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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