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一种半导体制造方法，其包含如下步骤：（ａ）在半导体晶片中，分别形成芯片内半导体器件结构和多个对准标记；（ｂ）在该半导体晶片上形成工件层；（ｃ）暴露所述对准标记；（ｄ）在该工件层上涂覆电子束抗蚀膜；（ｅ）利用电子束扫描对准标记，从而获得关于对...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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