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本发明提供了一种适用于形成在半导体衬底上的非易失性存储器件的制造方法和所得到的结构的示范性实施例。栅极结构的示范性实施例包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上用于储存电荷的储存节点，形成在储存节点上的第二绝缘膜，形成在第二绝...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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