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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:3192022
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提供了一种具有如下结构的半导体器件;在距n型或p型的半导体衬底表面的一定深度设置高阻抗p型半导体阱区;多个沟槽从阱区表面延伸到某一深度;栅绝缘膜形成在其上形成了沟槽的凹/凸部分表面上;栅电极嵌入在沟槽内。该半导体器件包括:栅电极膜,其设置在...
该专利属于精工电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过精工电子有限公司授权不得商用。
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