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高效高亮全反射发光二极管及其制作方法属于半导体光电子技术领域。依次包含图形电极（５１７），第一导电型欧姆接触层（３０４），第一导电型电流扩展层（３０５），第一导电型下限制层（３０６），非掺杂的有源区（３０７），第二导电型上限制层（３０８），...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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