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本发明是有关于一种具内连导线的斜低陷部的半导体元件与在其导电部间建立电性联系的方法，该半导体元件，其具有在金属化过程中用来容纳金属的倾斜金属低陷部（Ｏｂｌｉｑｕｅ　　Ｒｅｃｅｓｓ）。在一例示中，半导体元件包括形成于导电垫上的介电层，其中导电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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