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一种从集成电路（ＩＣ）结构上去除光刻胶层的方法，所述ＩＣ结构包括刻蚀的电介质层和暴露的覆盖铜内连线的阻障层，所述阻障层的构成材料是，如氮化硅或碳化硅。所述方法包括将包含一氧化碳（ＣＯ）的第一混合气通入反应器，在所述反应器内生成等离子体，选择...
该专利属于兰姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过兰姆研究公司授权不得商用。

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