温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种缩小关键尺寸的方法，其是对于光致抗蚀剂层进行一曝光工艺以及一显影工艺，其特征在于：于曝光工艺与显影工艺之间进行一光学修剪曝光工艺或是于曝光工艺之前，先进行此一光学修剪曝光工艺。其中光学修剪曝光工艺是采用一全开光掩模对光致抗蚀剂层进行曝光...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。