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根据一个示例性实施例，一种位于衬底上的ＢｉＦＥＴ，包括位于所述衬底上方的发射极层部分，其中所述发射极层部分包括第一类型的半导体。所述ＨＢＴ还包括蚀刻停止层的第一部分，其中所述蚀刻停止层的所述第一部分包括ＩｎＧａＰ。所述ＢｉＦＥＴ还包括位于所...
该专利属于斯盖沃克斯瑟路申斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯盖沃克斯瑟路申斯公司授权不得商用。

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