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本发明提供一种半导体元件及形成半导体元件的方法，具体涉及一种具有降低源极或漏极区域中掺杂物扩散的ＰＭＯＳ晶体管及其形成方法。ＰＭＯＳ晶体管包括掺杂Ｐ型杂质及扩散延迟材料的源极或漏极区域。ＰＭＯＳ晶体管更包括一栅极介电层，位于半导体基板的沟道...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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