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本发明提供可以减小存储单元尺寸的存储器。该存储器具有：在ｐ型硅基板（１１）的主表面上形成，作为在存储单元（９）中包含的二极管（１０）的阴极和字线（７）起作用的ｎ型杂质区域（１２）；在ｎ型杂质区域（１２）的表面隔开规定间隔地形成多个，且作为二...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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