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本发明公开一种金属氧化物半导体场效应管制造工艺，包括以下步骤：在常规工艺流程中形成自对准硅化物电极后，淀积一层层间膜氧化层，再利用化学机械平面化工艺ＣＭＰ将栅和侧墙上的氧化层去除，然后，通过一种高选择比刻蚀将氮化硅侧墙去除，从而在原来侧墙的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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