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公开了一种半导体的阱光致抗蚀剂图案及其制造方法。该方法包括以下步骤：（ａ）在半导体衬底上形成牺牲氧化物层；（ｂ）在该牺牲氧化物层上施加ＨＤＭＳ；（ｃ）在该ＨＭＤＳ上施加光致抗蚀剂；（ｄ）对该光致抗蚀剂进行软烘烤；（ｅ）通过对在衬底上所传递的...
该专利属于东部电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子株式会社授权不得商用。

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