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我们已经发现，可以通过操作某些膜沉积参数来调节单层氮化硅膜的应力。这些参数包括：工作在不同频率范围内的多个（一般是两个）功率输入源；沉积温度；处理室压强；和沉积源气体的组分。具体而言，我们已经发现，可以通过ＰＥＣＶＤ在单个沉积步骤中沉积膜来...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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