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本申请涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法。碳化硅结势垒肖特基半导体器件包括层叠设置的衬底和外延层，所述外延层上表面设置有源区和位于所述有源区周围的终端区，所述有源区包括若干间隔设置的结势垒区，...
该专利属于珠海零边界集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海零边界集成电路有限公司授权不得商用。

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