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本发明的实施方案提供用于为绝缘体上硅晶体管制造实现一致硅体高度的方法。对于一个实施方案来说，牺牲氧化物层被设置在半导体衬底上。蚀刻所述氧化物层以形成沟槽。然后用半导体材料填充沟槽。然后以氧化物层的剩余物为基准，平坦化半导体材料，并且然后氧化...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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