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本发明提供了一种互补金属氧化物半导体集成工艺，用于在栅电介质之上制造多个硅化金属栅。使用本发明的集成方案形成的每个硅化金属栅具有相同的硅化物金属相以及基本相同的高度，而不管硅化物金属栅的尺寸如何。本发明还提供了形成具有硅化触点的ＣＭＯＳ结构...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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