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本发明提供一种“Ｎ”形封装结构及制造方法，在第一玻璃上形成空腔壁；具有空腔壁的玻璃覆盖硅芯片，硅芯片外围密布排列兼容焊盘，光学／图像部件被容纳入空腔；芯片被选择性地蚀刻，构成沟道使兼容焊盘的部分暴露；绝缘材料填充沟道，覆盖已暴露的硅坡道和兼...
该专利属于晶方半导体科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶方半导体科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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