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本申请实施例提供了一种半导体器件结构及电子设备，包括，半导体器件本体，所述半导体器件本体上表面设置有介质层，在所述介质层上方对应位置间隔设置有栅极金属层与源极金属层，在所述介质层中与栅极金属层对应的位置至少设置一个第一接触孔和第二接触孔，在...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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