温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
公开了一种用于在包括ｎＦＥＴ和ｐＦＥＴ的半导体器件中提供双应力记忆技术的方法以及相关结构。本方法的一个实施例包括：在ｎＦＥＴ上方形成张应力层且在ｐＦＥＴ上方形成压应力层，进行退火以在半导体器件中记忆应力并去除应力层。压应力层可以包括使用高密...该专利属于国际商业机器公司;三星电子株式会社;特许半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;三星电子株式会社;特许半导体制造有限公司授权不得商用。