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提供一种用于制造半导体器件的方法。根据本发明，可以刻蚀高－ｋ膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底（５０）上形成氧化硅薄膜（５２），以及在其上形成包括ＨｆＳｉＯ↓［ｘ］的高介电常数绝缘膜（５４）。此后，通过抗蚀剂层...该专利属于恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社授权不得商用。
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提供一种用于制造半导体器件的方法。根据本发明，可以刻蚀高－ｋ膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底（５０）上形成氧化硅薄膜（５２），以及在其上形成包括ＨｆＳｉＯ↓［ｘ］的高介电常数绝缘膜（５４）。此后，通过抗蚀剂层...