温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种ＧａＮ基光电子器件，用ＭＯＶＰＥ技术在衬底上生长外延层，外延层包括按序生长的缓冲层，Ｎ－型Ａｌ↓［ａ］Ｉｎ↓［ｂ］Ｇａ↓［ｃ］Ｎ层，量子阱组成有源层，Ｐ－型ＡｌＧａＮ限制层，Ｐ－型ＧａＮ层。其缓冲层为复合型缓冲层，包括Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓...
该专利属于大连路明科技集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连路明科技集团有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。