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本实用新型公开了一种用于集成电路八边形低寄生电容的MOS器件，涉及半导体器件技术领域，包括，衬底；漏端，设置在所述衬底上；源端，设置在所述衬底上，所述源端设置有若干个，均匀布设在所述漏端的四周，且所述源端与所述漏端之间的间距相等，相邻两个所...
该专利属于江苏高格芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏高格芯微电子有限公司授权不得商用。

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