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本发明提供一种电可擦可编程非易失性存储装置与阵列及其操作方法。存储单元包括储存晶体管以及设置于Ｎ型传导阱区的注入器。阱区设置于Ｐ型传导半导体基底中。储存晶体管包括源极、漏极、通道以及电荷储存区。具有Ｐ型传导的源极与漏极设置于阱区中，上述源极...
该专利属于王知行所有，仅供学习研究参考，未经过王知行授权不得商用。

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