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一种ＣＭＰ研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键（碳－碳三键）的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的ＣＭＰ（化学机械抛光）技术中，可进行有...
该专利属于日立化成工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立化成工业株式会社授权不得商用。

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