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本发明提供一种集成电路的内联机结构，包括：半导体基底；在该半导体基底上的低介电常数材料层；在该低介电常数材料层中的导体；以及在该导体上的顶盖层，其中该顶盖层包括至少一顶部，其包括金属硅化物／锗化物。本发明借由在铜导线的顶部上形成硅化物／锗化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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