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一种制造快闪存储器件的方法，其中在半导体衬底上顺序形成蚀刻防止层、第一和第二层间绝缘层以及第一、第二和第三硬掩模层。蚀刻第三硬掩模层以暴露第二硬掩模层上的部分区域。在整个表面上形成线形的光刻胶图案，使得暴露的光刻胶图案比暴露第二硬掩模层的区...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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