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本发明的目的在于提供一种具有优异的写入特性及电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。另外，本发明还提供一种能够降低写入电压的非易失性半导体存储装置。本发明是一种非易失性半导体存储装置，包括在彼此相离而形成的一对杂质区之间具有沟道形成区的半导体...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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