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具有衬底和硅半导体本体（２）的半导体器件（１０），包括场效应管，在沟道区（５）位置处的第一表面上形成第一栅极电介质（６Ａ），并且在第一表面上形成第一栅极（７），从本体（２）的第一侧面通过第一栅极并且在第一栅极两侧上执行凹陷离子注入（２０），...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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