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本发明公开一种半导体器件及其制造方法。其中，通过外延生长方法在沟槽中形成Ｐ型第一ＳｉＧｅ混晶层以及形成Ｐ型第二ＳｉＧｅ混晶层。在所述第二ＳｉＧｅ混晶层上，形成Ｐ型第三ＳｉＧｅ混晶层。从该沟槽的底部至所述第一ＳｉＧｅ混晶层的最上表面的高度小于...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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