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一种非易失性存储器件具有浮栅和控制栅。浮栅包括基本上垂直的剖面并提供电荷存储机制以设定具体的阈值电压。控制栅包括斜剖面以提高可靠性。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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