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内存结构的制备方法技术
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文档序号:3179148
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一种内存结构的制备方法首先形成多个条状区块于基板的介电结构上,再形成局部暴露该条状区块侧壁的第一蚀刻屏蔽。其次,利用该第一蚀刻屏蔽局部去除该条状区块以缩减其宽度而形成第二蚀刻屏蔽,其包含多个以错开方式排列的第一区块及第二区块。之后,局部去除...
该专利属于茂德科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过茂德科技股份有限公司授权不得商用。
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