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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：形成一材料层；在所述材料层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成抗反射层和光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层；依次刻蚀所述抗反射层和硬掩膜层；对所述衬底进行加热烘焙；刻蚀所述材料层。本发明方法能够...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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